رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NSS35200CF8T1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NSS35200CF8T1G-DG
وصف:
TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 2 A 100MHz 635 mW Surface Mount ChipFET™
المخزون:
12844280
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NSS35200CF8T1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
35 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 20mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1.5A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
635 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
ChipFET™
رقم المنتج الأساسي
NSS35200
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2832-NSS35200CF8T1GTR
NSS35200CF8T1G-DG
NSS35200CF8T1GOSTR
ONSONSNSS35200CF8T1G
2156-NSS35200CF8T1G-OS
NSS35200CF8T1GOSDKR
NSS35200CF8T1GOSCT
2832-NSS35200CF8T1G-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DSA7003R0L
TRANS PNP 50V 1A MINIP3
2SD2528
TRANS NPN 60V 5A TO220D-A1
MPSA92RL1
TRANS PNP 300V 0.5A TO92
