NTD4860N-1G

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTD4860N-1G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTD4860N-1G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK

وصف تفصيلي:

N-Channel 25 V 10.4A (Ta), 65A (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12856780

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

NTD4860N-1G المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

25 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

10.4A (Ta), 65A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

16.5 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1308 pF @ 12 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.28W (Ta), 50W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

حزمة جهاز المورد

I-PAK

العبوة / العلبة

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

رقم المنتج الأساسي

NTD48

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

75

اسماء اخرى

ONSONSNTD4860N-1G

2156-NTD4860N-1G-ON

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

NTLUS4930NTBG

MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN

onsemi

NVMFS5C456NLAFT3G

MOSFET N-CH 40V 22A/87A 5DFN

onsemi

NTMS7N03R2

MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC

onsemi

NTTFS4C10NTWG

MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN