رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTJD4158CT2G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTJD4158CT2G-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V, 20V 250mA, 880mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
المخزون:
12842816
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTJD4158CT2G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V, 20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250mA, 880mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.5nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
33pF @ 5V
الطاقة - الحد الأقصى
270mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
رقم المنتج الأساسي
NTJD4158
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTJD4158CT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
14230
DiGi رقم الجزء
NTJD4158CT1G-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTJD5121NT2G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
SQJ500EP
MOSFET N/P-CH 40V DPAK
NVMFD5853NWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
