رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTLJS3A18PZTXG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTLJS3A18PZTXG-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
المخزون:
12856632
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTLJS3A18PZTXG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2240 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-WDFN (2x2)
العبوة / العلبة
6-WDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
NTLJS3A
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
ONSONSNTLJS3A18PZTXG
2156-NTLJS3A18PZTXG-ONTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTLUS3A18PZTBG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2750
DiGi رقم الجزء
NTLUS3A18PZTBG-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS4C800NT1G
MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL
NTB18N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
RJK0346DPA-01#J0B
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
