رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMFS4825NFET1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMFS4825NFET1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 171A (Tc) 950mW (Ta), 96.2W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
12930602
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
gkUj
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMFS4825NFET1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Ta), 171A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40.2 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5660 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
950mW (Ta), 96.2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NTMFS4
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
NTMFS4825NFET1GOSDKR
2156-NTMFS4825NFET1G-ONTR-DG
ONSONSNTMFS4825NFET1G
NTMFS4825NFET1GOSCT
NTMFS4825NFET1GOSTR
2156-NTMFS4825NFET1G
NTMFS4825NFET1G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQPF2NA90
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220F
AO3418L
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
FDP18N20F
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
