رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVJS4151PT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVJS4151PT1G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 3.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
المخزون:
65758 قطع جديدة أصلية في المخزون
12857908
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVJS4151PT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
67mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
850 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
رقم المنتج الأساسي
NVJS4151
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NVJS4151PT1GOSCT
NVJS4151PT1G-DG
NVJS4151PT1GOSDKR
ONSONSNVJS4151PT1G
NVJS4151PT1GOSTR
2156-NVJS4151PT1G-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTD20N06T4
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
NTD5867NLT4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
NDB7060
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
