رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMYS025N06CLTWG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMYS025N06CLTWG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 8.5A (Ta), 21A (Tc) 3.8W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
المخزون:
5735 قطع جديدة أصلية في المخزون
12844123
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMYS025N06CLTWG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.5A (Ta), 21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 13µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
330 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 24W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK4 (5x6)
العبوة / العلبة
SOT-1023, 4-LFPAK
رقم المنتج الأساسي
NVMYS025
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NVMYS025N06CLTWGOS
NVMYS025N06CLTWGOSTR
NVMYS025N06CLTWGOSDKR
NVMYS025N06CLTWGOS-DG
NVMYS025N06CLTWGOSCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF614L
MOSFET N-CH 250V 2.7A TO262
NVMFS5C410NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
NVMFS4C01NT1G
MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
