رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PJMF280N60E1_T0_00001
Product Overview
المُصنّع:
Panjit International Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PJMF280N60E1_T0_00001-DG
وصف:
600V SUPER JUNCITON MOSFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 34W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
المخزون:
1972 قطع جديدة أصلية في المخزون
12971034
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PJMF280N60E1_T0_00001 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
926 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
34W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ITO-220AB-F
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
PJMF280
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
3757-PJMF280N60E1_T0_00001
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PJD18N20_L2_00001
200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJF8NA65A_T0_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
PJL9480_R2_00001
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
