رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PJMH190N60E1_T0_00601
Product Overview
المُصنّع:
Panjit International Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PJMH190N60E1_T0_00601-DG
وصف:
600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AD
المخزون:
1436 قطع جديدة أصلية في المخزون
12989056
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PJMH190N60E1_T0_00601 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1410 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
160W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AD
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
PJMH190
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
3757-PJMH190N60E1_T0_00601
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
IMT65R057M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R107M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
