رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PJMP390N65EC_T0_00001
Product Overview
المُصنّع:
Panjit International Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PJMP390N65EC_T0_00001-DG
وصف:
650V SUPER JUNCITON MOSFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 87.5W (Tc) Through Hole TO-220AB-L
المخزون:
1996 قطع جديدة أصلية في المخزون
12975068
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PJMP390N65EC_T0_00001 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
390mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
726 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
87.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB-L
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
PJMP390
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
3757-PJMP390N65EC_T0_00001
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI2307CDS-T1-BE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
NVMFS5C430NWFET1G
T6-40V N 1.7 MOHMS SL
NVTFWS007N08HLTAG
80V T8 IN U8FL HEFET PACK
