رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSM250D17P2E004
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSM250D17P2E004-DG
وصف:
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 1700V (1.7kV) 250A (Tc) 1800W (Tc) Chassis Mount Module
المخزون:
34 قطع جديدة أصلية في المخزون
13523882
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSM250D17P2E004 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Box
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
Silicon Carbide (SiC)
تكوين
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1700V (1.7kV)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 66mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
30000pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1800W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
العبوة / العلبة
Module
حزمة جهاز المورد
Module
رقم المنتج الأساسي
BSM250
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
HP8M31TB1
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
BSM180D12P3C007
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
