الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Kuwait
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Kuwait
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DTC115TUAT106
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
DTC115TUAT106-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13080354
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DTC115TUAT106 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
الشركه المصنعه
Rohm Semiconductor
سلسلة
DTC115T
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
100 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 100µA, 1mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA (ICBO)
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
حزمة جهاز المورد
UMT3
رقم المنتج الأساسي
DTC115
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
UMT3 DTRTG Reliability Test
موارد التصميم
UMT3 Inner Structure
أوراق البيانات
DTC115TUAT106
UMT3 T106 Taping Spec
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DTC115TUAT106CT
DTC115TUAT106DKR
846-DTC115TUAT106TR
DTC115TUAT106-ND
DTC115TUAT106TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DDTC114TUA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
8390
DiGi رقم الجزء
DDTC114TUA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN1312(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
2845
DiGi رقم الجزء
RN1312(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PDTC124TU,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
PDTC124TU,115-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTC144TUA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTC144TUA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTC115TUA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTC115TUA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DTA144GUAT106
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
DTA143TUAT106
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
DTC143TCAT116
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
DTC044TMT2L
TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3