رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6055VNZ4C13
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6055VNZ4C13-DG
وصف:
600V 55A TO-247, PRESTOMOS WITH
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 55A (Tc) 543W (Tc) Through Hole TO-247
المخزون:
677 قطع جديدة أصلية في المخزون
12976147
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6055VNZ4C13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
55A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V, 15V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
71mOhm @ 16A, 15V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
6.5V @ 1.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3700 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
543W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
R6055
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
846-R6055VNZ4C13
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R6018VNXC7G
600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
R6020YNXC7G
600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN
R8002ANJGTL
NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
