رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RF4E070GNTR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RF4E070GNTR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
المخزون:
2425 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525635
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RF4E070GNTR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
21.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
220 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
HUML2020L8
العبوة / العلبة
8-PowerUDFN
رقم المنتج الأساسي
RF4E070
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RF4E070GNTRTR
RF4E070GNTRDKR
RF4E070GNTRCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
RSY160P05TL
MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
RQ5C025TPTL
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
