RF4E080GNTR
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RF4E080GNTR

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

RF4E080GNTR-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8

المخزون:

782 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524880
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RF4E080GNTR المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
17.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
295 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
HUML2020L8
العبوة / العلبة
8-PowerUDFN
رقم المنتج الأساسي
RF4E080

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
RF4E080GNTR HUML2020L8 TR Taping Spec

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RF4E080GNTRTR
RF4E080GNTRDKR
RF4E080GNTRCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

RQ5E070BNTCL

MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3

rohm-semi

RUC002N05T116

MOSFET N-CH 50V 200MA SST3

rohm-semi

RQ5E035ATTCL

MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3

rohm-semi

RE1J002YNTCL

MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F