رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RT1A050ZPTR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RT1A050ZPTR-DG
وصف:
MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST
وصف تفصيلي:
P-Channel 12 V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
المخزون:
7984 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526544
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RT1A050ZPTR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2800 pF @ 6 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
600mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-TSST
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
رقم المنتج الأساسي
RT1A050
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RT1A050ZPDKR
RT1A050ZPCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RV2C001ZPT2L
MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
RJU002N06FRAT106
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
R6011ENX
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
