رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RT1C060UNTR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RT1C060UNTR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
المخزون:
13525411
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
uNoQ
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RT1C060UNTR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
870 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
650mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-TSST
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
رقم المنتج الأساسي
RT1C060
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RT1C060UNDKR
RT1C060UNTRCT
RT1C060UNTRTR-ND
RT1C060UNTRTR
RT1C060UNTRCT-ND
RT1C060UNTRDKR
RT1C060UNTRDKR-ND
RT1C060UNCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RQ5A040ZPTL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
RRQ020P03TCR
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
RRH040P03TB1
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP
