رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SH8KA2TB1
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SH8KA2TB1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
2172 قطع جديدة أصلية في المخزون
12973284
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SH8KA2TB1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
330pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
SH8KA2
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
846-SH8KA2TB1DKR
846-SH8KA2TB1CT
846-SH8KA2TB1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PJL9850_R2_00001
MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SOP
PJS6603_S2_00001
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A SOT23-6
NXH010P120MNF1PNG
SIC 2N-CH 1200V 114A
