رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STB25NM50N
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STB25NM50N-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12876817
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STB25NM50N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™ II
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2565 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
160W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
STB25N
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
STB25NM50N-DG
497-5385-1
497-5385-2
497-5385-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB50R140CPATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPB50R140CPATMA1-DG
سعر الوحدة
2.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB30N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB30N65M5-DG
سعر الوحدة
3.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOB29S50L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
540
DiGi رقم الجزء
AOB29S50L-DG
سعر الوحدة
1.99
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STF5N95K5
MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220FP
STW19NM60N
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
STP77N6F6
MOSFET N-CH 60V 77A TO220
