رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STD6N65M2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STD6N65M2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
2496 قطع جديدة أصلية في المخزون
12872660
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STD6N65M2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
MDmesh™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
226 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
STD6N65
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
497-15049-6
497-15049-1
497-15049-2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD70R1K4P7SAUMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
20689
DiGi رقم الجزء
IPD70R1K4P7SAUMA1-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SPD04N80C3ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
21919
DiGi رقم الجزء
SPD04N80C3ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.62
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STF33N60DM6
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
STF7N52DK3
MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
STH15NB50FI
MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
