رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STF25N10F7
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STF25N10F7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 19A TO220FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
المخزون:
12879277
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STF25N10F7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
DeepGATE™, STripFET™ VII
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
35mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
920 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
STF25
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-14553-5
STF25N10F7-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFI1310NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1018
DiGi رقم الجزء
IRFI1310NPBF-DG
سعر الوحدة
0.70
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOTF2916L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOTF2916L-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDPF3860T
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDPF3860T-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB18N60M2
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
STP12NM50FD
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
STP7LN80K5
MOSFET N-CH 800V 5A TO220