رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STFI9N60M2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STFI9N60M2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAKFP
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
المخزون:
12872726
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
k0Q2
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STFI9N60M2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
MDmesh™ II Plus
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
780mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
320 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
20W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-281 (I2PAKFP)
العبوة / العلبة
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
رقم المنتج الأساسي
STFI9
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STFW1N105K3
MOSFET N-CH 1050V 1.4A ISOWATT
STFI13N65M2
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
STL150N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 150A POWERFLAT
