رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STFW20N65M5
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STFW20N65M5-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 18A ISOWATT
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-3PF
المخزون:
12878526
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
vpqF
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STFW20N65M5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
MDmesh™ M5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1434 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PF
العبوة / العلبة
TO-3P-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
STFW20
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
600
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP120NH03L
MOSFET N-CH 30V 60A TO220AB
SCT20N120
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
STB5NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
