رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STL260N4LF7
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STL260N4LF7-DG
وصف:
N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
المخزون:
2747 قطع جديدة أصلية في المخزون
12950528
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STL260N4LF7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
STripFET™ F7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
188W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerFlat™ (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
497-STL260N4LF7DKR
497-STL260N4LF7CT
497-STL260N4LF7TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SCTH70N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTL90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
SCTH40N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
