رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP60NE06L-16
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP60NE06L-16-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12876082
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
winL
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP60NE06L-16 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
STripFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4150 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP60N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDP16AN08A0
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
3500
DiGi رقم الجزء
FDP16AN08A0-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RFP70N06
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
725
DiGi رقم الجزء
RFP70N06-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD18537NKCS
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
2388
DiGi رقم الجزء
CSD18537NKCS-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STL3NM60N
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
PHB174NQ04LT,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
STI200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
