رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STP7NM50N
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STP7NM50N-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12878145
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STP7NM50N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
MDmesh™ II
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
780mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
400 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
STP7N
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
497-7531-5
STP7NM50N-DG
-497-7531-5
1026-STP7NM50N
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF830APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5605
DiGi رقم الجزء
IRF830APBF-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOT9N50
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOT9N50-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOT5N50
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
588
DiGi رقم الجزء
AOT5N50-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STQ1HNK60R-AP
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
STL6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
STL10N65M2
MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
