رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STS4DNFS30
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STS4DNFS30-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
1500 قطع جديدة أصلية في المخزون
12875306
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
4WxN
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STS4DNFS30 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
STripFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
55mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.7 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
330 pF @ 25 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
STS4D
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
-497-6187-1
-497-6187-2
1805-STS4DNFS30CT
1805-STS4DNFS30DKR
497-6187-2
1805-STS4DNFS30TR
497-6187-1
497-6187-6
-497-6187-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STW75N60DM6
MOSFET N-CH 600V 72A TO247
STF12NK60Z
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
STP5NK80Z
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB