رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STW63N65DM2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STW63N65DM2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 65A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
12877848
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STW63N65DM2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5500 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
446W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
STW63
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
600
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STWA63N65DM2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
600
DiGi رقم الجزء
STWA63N65DM2-DG
سعر الوحدة
7.37
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
STW65N65DM2AG
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
393
DiGi رقم الجزء
STW65N65DM2AG-DG
سعر الوحدة
5.65
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STFH18N60M2
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
STDLED625H
MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK
STSJ100NHS3LL
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
