رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD13306WT
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD13306WT-DG
وصف:
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
وصف تفصيلي:
N-Channel 12 V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
المخزون:
2085 قطع جديدة أصلية في المخزون
12818338
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD13306WT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11.2 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1370 pF @ 6 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.9W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-DSBGA (1x1.5)
العبوة / العلبة
6-UFBGA, DSBGA
رقم المنتج الأساسي
CSD13306
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
250
اسماء اخرى
296-41134-6
TEXTISCSD13306WT
296-41134-2
2156-CSD13306WT
296-41134-1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD17322Q5A
MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
CSD17555Q5A
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
IRFB4410PBF
MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
