رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD16411Q3
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD16411Q3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
المخزون:
21452 قطع جديدة أصلية في المخزون
12815988
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD16411Q3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Ta), 56A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
+16V, -12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
570 pF @ 12.5 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.7W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
CSD16411
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
296-24255-1
296-24255-2
-CSD16411Q3-NDR
296-24255-6-NDR
296-24255-1-NDR
296-24255-6
CSD16411Q3/2801-DG
296-24255-2-NDR
-296-24255-1-NDR
2156-CSD16411Q3
CSD16411Q3/2801
-CSD16411Q3/2801-NDR
TEXTISCSD16411Q3
-296-24255-1-DG
-CSD16411Q3/2801
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFS4410ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
IPD33CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
IRLR2905TRLPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
