رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD17303Q5
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD17303Q5-DG
وصف:
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
المخزون:
1490 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946941
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD17303Q5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Bulk
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
32A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
3V, 8V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.6V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
+10V, -8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3420 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-VSON-CLIP (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
301
اسماء اخرى
TEXTISCSD17303Q5
2156-CSD17303Q5
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB035AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDMA530PZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
IRF1010ZPBF
IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
