رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC5171,Q(J
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC5171,Q(J-DG
وصف:
TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
المخزون:
12890463
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC5171,Q(J المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
180 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 100mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
5µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 100mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
200MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220NIS
رقم المنتج الأساسي
2SC5171
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SC5171Q(J
2SC5171QJ
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC817-40-7-F
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
FZT696BTA
TRANS NPN 180V 0.5A SOT223-3
2SC2383-Y,T6KEHF(M
TRANS NPN 160V 1A TO92MOD