رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1425TE85LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1425TE85LF-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 800 mA 300 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
المخزون:
1880 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891308
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
SZOY
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1425TE85LF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
800 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
470 Ohms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
90 @ 100mA, 1V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 1mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
300 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
S-Mini
رقم المنتج الأساسي
RN1425
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN1425(TE85L,F)
264-RN1425TE85LFTR
264-RN1425TE85LFCT
264-RN1425TE85LFDKR
RN1425TE85LF-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
DTC123JKAT146
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
154870
DiGi رقم الجزء
DTC123JKAT146-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN1427TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
RN2107MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN1115MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
