رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3J130TU,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3J130TU,LF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 4.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
المخزون:
126936 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891467
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
CKCe
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3J130TU,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24.8 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1800 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
UFM
العبوة / العلبة
3-SMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
SSM3J130
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM3J130TU(TE85L)TR
SSM3J130TU(TE85L)TR-DG
SSM3J130TU(TE85L)DKR
SSM3J130TULFDKR
SSM3J130TU,LF(T
SSM3J130TULFTR
SSM3J130TU (TE85L)
SSM3J130TUTE85L
SSM3J130TU,LF(B
SSM3J130TULFCT
SM3J130TULFTR-DG
SSM3J130TU(TE85L)
SSM3J130TU(TE85L)CT-DG
SSM3J130TU(TE85L)DKR-DG
SSM3J130TU(TE85L)CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3J134TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
TK14G65W5,RQ
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
TK12P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
