رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6J424TU,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6J424TU,LF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 6A UF6
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
المخزون:
2082 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889150
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
cfOv
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6J424TU,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
+6V, -8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1650 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
UF6
العبوة / العلبة
6-SMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
SSM6J424
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM6J424TULFTR
SSM6J424TULFCT
SSM6J424TU,LF(B
SSM6J424TULFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RF4C050APTR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
5045
DiGi رقم الجزء
RF4C050APTR-DG
سعر الوحدة
0.20
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SJ438(AISIN,Q,M)
MOSFET P-CH TO220NIS
SSM3J371R,LF
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
TK25N60X,S1F
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
