رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6K406TU,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6K406TU,LF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 4.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6
المخزون:
5870 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889440
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
ryiE
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6K406TU,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
490 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
UF6
العبوة / العلبة
6-SMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
SSM6K406
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM6K406TU,LF(B
SSM6K406TULFCT
SSM6K406TULFDKR
SSM6K406TULFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK14A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 14A TO220SIS
DMT6009LSS-13
MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
2SK2744(F)
MOSFET N-CH 50V 45A TO3P