رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK16A60W,S4X
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK16A60W,S4X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
12891120
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
0WSS
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK16A60W,S4X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
DTMOSIV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.7V @ 790µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1350 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK16A60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK16A60WS4X
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R6024KNX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
451
DiGi رقم الجزء
R6024KNX-DG
سعر الوحدة
1.13
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA60R180P7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
484
DiGi رقم الجزء
IPA60R180P7XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF21N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
998
DiGi رقم الجزء
STF21N65M5-DG
سعر الوحدة
2.11
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK7A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS
TPC8042(TE12L,Q,M)
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TP89R103NL,LQ
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
