TPH1R204PL1,LQ
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TPH1R204PL1,LQ

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

TPH1R204PL1,LQ-DG

وصف:

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)

المخزون:

2121 قطع جديدة أصلية في المخزون
12964966
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
XtQP
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TPH1R204PL1,LQ المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSIX-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
150A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.24mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7200 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
960mW (Ta), 170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP Advance (5x5.75)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
264-TPH1R204PL1LQDKR
264-TPH1R204PL1LQCT
264-TPH1R204PL1,LQTR
TPH1R204PL1,LQ(M

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IPN60R1K0PFD7SATMA1

CONSUMER PG-SOT223-3

infineon-technologies

ISZ034N06LM5ATMA1

MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON

onsemi

NVMTS4D3N15MC

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00