UJ3C120040K3S
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

UJ3C120040K3S

Product Overview

المُصنّع:

Qorvo

رقم الجزء DiGi Electronics:

UJ3C120040K3S-DG

وصف:

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-3

المخزون:

711 قطع جديدة أصلية في المخزون
12930657
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
2qf5
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

UJ3C120040K3S المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Qorvo
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Cascode SiCJFET)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
65A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
12V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
45mOhm @ 40A, 12V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
6V @ 10mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
51 nC @ 15 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
429W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
UJ3C120040

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2312-UJ3C120040K3S

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
unitedsic

UF3SC120009K4S

SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4

unitedsic

UF3C120080K4S

SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4

unitedsic

UF3C120040K4S

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4

onsemi

FDME820NZT

MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET