رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N7002E-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N7002E-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236
المخزون:
16106 قطع جديدة أصلية في المخزون
12872999
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
t2iB
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N7002E-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
240mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
21 pF @ 5 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
350mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
2N7002
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2N7002E-T1-GE3TR
2N7002E-T1-GE3-DG
2N7002E-T1-GE3CT
2N7002E-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STF10LN80K5
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
STL220N6F7
MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
STI270N4F3
MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK
