IRFBC40STRL
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRFBC40STRL

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRFBC40STRL-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12909659
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRFBC40STRL المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRFBC40

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STB6N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
11994
DiGi رقم الجزء
STB6N60M2-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
R6004ENJTL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
R6004ENJTL-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD7ANM60N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3584
DiGi رقم الجزء
STD7ANM60N-DG
سعر الوحدة
0.58
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFBC40STRLPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
800
DiGi رقم الجزء
IRFBC40STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.90
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IXTA7N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA7N60P-DG
سعر الوحدة
1.66
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

IRFBC40LCSTRR

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

vishay-siliconix

2N6660JTXP02

MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

littelfuse

IXFK26N90

MOSFET N-CH 900V 26A TO-264

vishay-siliconix

IRFR1N60ATRRPBF

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK