رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFBF30SPBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFBF30SPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12907689
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFBF30SPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRFBF30
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
*IRFBF30SPBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFA4N100P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFA4N100P-DG
سعر الوحدة
1.76
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTA3N100P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
100
DiGi رقم الجزء
IXTA3N100P-DG
سعر الوحدة
3.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXFA4N100Q
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFA4N100Q-DG
سعر الوحدة
4.32
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF614S
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
IRF744PBF
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB
IXFB40N110P
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
