رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRLZ34STRL
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRLZ34STRL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12910607
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRLZ34STRL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 18A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRLZ34
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRLZ34NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
30084
DiGi رقم الجزء
IRLZ34NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN015-60BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
11707
DiGi رقم الجزء
PSMN015-60BS,118-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR020TRL
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IXFR100N25
MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247
IXTA98N075T7
MOSFET N-CH 75V 98A TO263-7