رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHA22N60AE-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHA22N60AE-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
المخزون:
12966419
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
dZKi
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHA22N60AE-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
E
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1451 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220 Full Pack
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
SIHA22
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPA60R170CFD7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
255
DiGi رقم الجزء
IPA60R170CFD7XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.29
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPAW60R180P7SXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
451
DiGi رقم الجزء
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FCPF190N60
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
800
DiGi رقم الجزء
FCPF190N60-DG
سعر الوحدة
1.60
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZVN3320A
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
PJC7428_R1_00001
SOT-323, MOSFET
SIRA18DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
