الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Kuwait
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Kuwait
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHD7N60E-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHD7N60E-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12787730
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
k
T
u
O
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHD7N60E-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
680 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SIHD7
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
SIHD7N60E
مخططات البيانات
SIHD7N60E-E3
ورقة بيانات HTML
SIHD7N60E-E3-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD12N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4977
DiGi رقم الجزء
STD12N60M2-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD10N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
6542
DiGi رقم الجزء
STD10N60M2-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD11N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
6591
DiGi رقم الجزء
STD11N65M5-DG
سعر الوحدة
0.73
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD11NM60ND
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
677
DiGi رقم الجزء
STD11NM60ND-DG
سعر الوحدة
1.57
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTY8N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
20
DiGi رقم الجزء
IXTY8N65X2-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SUP50N03-5M1P-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB
SQP120P06-6M7L_GE3
MOSFET P-CH 60V TO220AB
VP0808B-E3
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
VP1008B
MOSFET P-CH 100V 790MA TO39