رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIZ710DT-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIZ710DT-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
المخزون:
16612 قطع جديدة أصلية في المخزون
12916635
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIZ710DT-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A, 35A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
820pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
27W, 48W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-PowerPair™
حزمة جهاز المورد
6-PowerPair™
رقم المنتج الأساسي
SIZ710
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIZ710DT-T1-GE3TR
SIZ710DT-T1-GE3DKR
SIZ710DTT1GE3
SIZ710DT-T1-GE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SMMA511DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
SIA907EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V SMD
SIA975DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
