رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK290A60Y,S4X
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK290A60Y,S4X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 11.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
12889146
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
irtb
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK290A60Y,S4X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
DTMOSV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 450µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
730 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK290A60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK290A60Y,S4X(S
TK290A60YS4X(S
TK290A60YS4X
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R6015ENX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
23
DiGi رقم الجزء
R6015ENX-DG
سعر الوحدة
1.61
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SPA15N60C3XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
266
DiGi رقم الجزء
SPA15N60C3XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.58
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK290P60Y,RQ
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
SSM6J424TU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A UF6
2SJ438(AISIN,Q,M)
MOSFET P-CH TO220NIS
